Etsi LG non tamen inducitur vel Galaxy S9 et iam incipiendo speculari Galaxy S10. Videtur quod navis praetoria quam Coreanus Meridionalis gigas inducet annum proximum plus dolum validiorem habere debet quam hoc anno Galaxy S9. Cor versionis internationalis Galaxy S9 Exynos est 9810 et in US version est Snapdragon 845. Samsung inhaero cum 10nm processu habuit, sed 7nm astularum in smartphones appareret quam primo anno proximo, i.e. Galaxy S10.
Heri, Qualcomm detexit Snapdragon X24, novum LTE modem pro smartphones qui promittit celeritates theoreticas download in 2 Gbps. Qualcomm hoc asserit primum Categoriae 20 LTE modem ad tantas celeritates sustinendas. Snapdragon X24 sic primus LTE modem aedificavit in architectura 7 nm.
Qualcomm modem dixit nunc serius hoc anno cogitationes commerciales feriet, ideo cum Snapdragon 845 chip ut vires US versioni non debebit. Galaxy S9. Snapdragon 845 habet Snapdragon X20 LTE modem.
Quamvis Qualcomm non confirmaverit processorem venturum, i.e., Snapdragon 855, fabricabitur per 7nm processum. Haec sola est speculatio, innixa in LinkedIn unius e ministrorum operariorum.
Snapdragon 855, qui Snapdragon X24 modem haberet, sic primus 7nm processus mobilis in mundo factus est. ET Galaxy S10 prima felis quis felis ut processus fieret.
fons: SamMobile
