Haec dies, Samsung parat productionem incipere productionis ultra-celebri UFS 2.0 NAND memorias Flash, quae cogitat uti in futura praetoria, Samsung Galaxy S6. Usque nunc eMMC NAND Flash technicae memoriae adhibita est, quae translationem celeritatem 400 MB/s consequi poterat. Attamen, propter novam technologiam secundae generationis UFS, memoria in phones erit Galaxy S6 potest attingere celeritatem translationis usque ad 1.2 GB/s, i.e. celeritatem ter superiorem.
Hoc sane reddetur in translatione magnarum imaginum, ut translatio 4K videos utens nexu LTE-A. Praeterea, cum eMMC 5.0 comparatur, technicae consumptio usque ad 50% inferiorem offert, quae effectum positivum in pugna vita telephoni novi habet. Nokia etiam cogitat technicas uti in suis SD et microSD chartis, et in eo laborare iam videtur. aemulus principalis Sinensium, Xiaomi, etiam cogitat ut memoria UFS Flash utatur, et videtur quod Toshima, Hynix et Micron etiam in ea usuram praebebunt. Praeter technologiam UFS, Samsung microUSB 3.0 portu uti cogetur si celeritate translationis uti volet cum fasciculi transferendi ex computatro ad telephonum mobile et vice versa.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190;
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190;
* Source: ETNews
